半导体晶圆的生产工艺流程介绍.docx_klarf资源-CSDN文库

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� 从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道

主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时

又统称它们为晶柱切片后处理工序）：

�

　　晶棒成长 --> 晶棒裁切与检测 --> 外径研磨 --> 切片 --> 圆边 --> 表层研磨 -->

蚀刻 --> 去疵 --> 抛光 --> 清洗 --> 检验 --> 包装

　　1 晶棒成长工序：它又可细分为：

　　1）融化（Melt Down）

　　将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点 1420°C 以上，使其完全融

化。

　　2）颈部成长（Neck Growth）

　　待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢

往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约 6mm 左右），维持此直径并拉长

100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。

　　3）晶冠成长（Crown Growth）

　　颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如

5、6、8、12 吋等）。

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