HDC6508是一款由深圳市海鼎成电子有限公司生产的同步整流器，主要用于替代反激式转换器中的整流二极管，其特色在于集成了60V耐压、7.5mΩ内阻的MOSFET，显著减少了发热问题，并通过使用集成MOSFET的源漏电压来决定其开关状态，进而提升了系统转换效率。HDC6508支持连续模式（DCM）、非连续模式（CCM）以及准谐振（QR）工作模式的反激转换器，并拥有150uA低静态电流、4.5A驱动电流以确保快速关断MOSFET，同时支持最高200kHz的开关频率和低输出电压工作模式。HDC6508的封装形式为SOP8，性价比高。
在电气参数方面，HDC6508的VCC对地电压范围为-0.3~+7V，输出电压VOUT对地电压范围为-0.3~+25V，而MOSFET漏极对地电压范围则是-0.7～+60V。它能够支持高达200kHz的最大工作频率，并且具有SOP8封装的热阻抗（ΘJA）为150℃/W。在存储温度方面，其范围在-55℃至150℃之间，而封装引脚的焊接温度为260℃持续10秒。对于静电放电（ESD）敏感度，HBM人体模型可达6kV。需要注意的是，超出额定参数范围将损害芯片，也可能影响芯片的可靠性。
就电性能参数而言，HDC6508在25°C的环境温度和6.0V的VCC条件下测试。其输入电源的上电门限电压（VCCUVLORising）为2.5V，具有0.4V的滞后效应。VCC的调节电压在5.4V至5.8V之间。输出电压充电电流（IvOUT_CHG）在VO=5V、VCC=3.5V时为65mA。静态电流（IQ）在VCC=6V时为150uA（典型值），范围在140至260uA之间。控制电路部分的开启阈值（VON_TH）为-260至-300mV，开启总延迟时间为80至90ns。关闭阈值（VOFF_TH1）在-9至-20mV之间，关闭总延迟时间为15至25ns。驱动调节电压（VREG(DRV)）为-50至-32mV。最小开启时间（TON_MIN）和最小关闭时间（TOFF_MIN）分别为550至800ns和0.9至1.5us。关闭消隐阈值（VB-OFF）为3V，原边导通检测电压（VPS_ON_DET）为6V，原边导通检测空白时间（TPS_ON_DET）为0.3us。功率MOS的漏极至源极击穿电压（BVD）未给出具体数值。
在应用方面，HDC6508适合用于移动设备充电器、适配器以及反激转换器。
引脚定义方面，HDC6508包含八个引脚。其中，引脚1和引脚2为MOSFET源极（S），引脚3为供电电压（VCC），引脚4为输出电压供应（VO），而引脚5、6、7、8为MOSFET漏极（D）。
从整体来看，HDC6508因其内置的低内阻MOSFET和简单的外围电路设计，可有效降低反激式转换器整流部分的损耗，并提高效率，适合在高性能的PD（Power Delivery）快充应用中使用。其SOP8封装亦具有较高的性价比，适合在需要高效率和紧凑设计的空间受限的应用场景。在设计使用时，应仔细考虑其电气参数和电性能参数，确保其在安全和可靠性范围内工作。
