SST25VF016B中文手册

### SST25VF016B 16Mb SPI 串行闪存关键知识点解析 #### 1. **产品概述** - **SST25VF016B** 是一款由Microchip Technology公司生产的16Mb (2MB) 串行闪存芯片，采用四线SPI接口设计，支持低引脚数封装，有助于减小PCB占用空间并降低成本。 - **特点**：此芯片支持单电压读写操作（2.7V-3.6V），具备高速SPI时钟频率（最高80MHz），提供卓越的可靠性（擦写次数100,000次，数据保存时间超过100年）以及低功耗特性。 #### 2. **电气特性** - **供电电压**：该芯片支持2.7V到3.6V的工作电压范围，简化了系统设计。 - **时钟频率**：最大支持80MHz的时钟频率，提高了数据传输速率。 - **擦写次数**：平均可达100,000次，确保了较长的使用寿命。 - **数据保存时间**：大于100年，提供了长期的数据存储稳定性。 - **功耗**：读操作工作电流为10mA（典型值），待机电流仅为5μA（典型值），显著减少了能耗。 #### 3. **擦除与编程** - **擦除功能**：支持多种擦除方式，包括4KB、32KB和64KB扇区擦除，以及全片擦除。 - 全片擦除时间：35ms（典型值） - 扇区/块擦除时间：18ms（典型值） - **编程时间**：字节编程时间为7μs（典型值），显著加快了编程速度。 - **自动地址递增（AAI）**：该功能减少了字节编程操作期间的总芯片编程时间，提高了编程效率。 #### 4. **状态检测** - **写操作结束检测**：通过轮询状态寄存器中的BUSY位或者在AAI模式下通过SO引脚上的忙状态读出来实现。 #### 5. **控制信号** - **保持引脚（HOLD#）**：在不取消选择器件的情况下暂停存储器的串行序列，提高了系统的灵活性。 - **写保护（WP#）**：支持软件写保护功能，通过状态寄存器中的块保护位实现写保护。 #### 6. **温度范围与封装类型** - **温度范围**：分为商业级（0°C至+70°C）和工业级（-40°C至+85°C）两种版本，适用于不同环境条件下的应用需求。 - **封装类型**：提供8引脚SOIC（200mil）和8触点WSON（6mm x 5mm）两种封装选项，满足不同的空间布局需求。 #### 7. **制造技术** - **SuperFlash®技术**：采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造，具有分离栅极单元设计（split-gate cell design）和厚氧化层隧穿注入器（thick-oxide tunneling injector），实现了更高的可靠性和制造性。 #### 8. **功耗优化** - **SuperFlash®技术**的应用使得编程电流更低、擦除时间更短，因此在擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术，有助于进一步降低功耗。 #### 9. **引脚说明** - **SCK**: 串行时钟，用于提供串行接口的时序。 - **SI**: 串行数据输入，用于以串行方式将命令、地址或数据传送到器件中。 - **SO**: 串行数据输出，用于以串行方式从器件读取数据。 - **CE#**: 芯片使能信号，用于选择特定的存储器芯片。 - **WP#**: 写保护信号，用于禁止对存储器的写操作。 - **HOLD#**: 暂停信号，用于在不取消选择器件的情况下暂停存储器的串行序列。 SST25VF016B是一款集高性能、低功耗、高可靠性于一体的16Mb SPI串行闪存芯片，适合于各种嵌入式系统中作为程序或数据存储解决方案。其丰富的功能特性和广泛的适用性使其成为众多应用领域的理想选择。