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芯片制造工艺流程 芯片制造工艺流程是一个复杂的过程，它涉及到多个步骤，其中包括表面清洗、氧化、化学气相沉积（CVD）等。下面我们将详细介绍这些步骤。 1. 表面清洗 在芯片制造过程中，表面清洗是非常重要的一步。晶圆表面附着一层大约 2um 的 Al2O3 和甘油混合液保护之，需要进行化学刻蚀和表面清洗，以除去污染物质和氧化物质。 2. 氧化 氧化是芯片制造过程中的一个关键步骤。有热氧化法生成 SiO2 缓冲层，用来减小后续中 Si3N4 对晶圆的应力。氧化技术有干法氧化和湿法氧化两种。干法氧化通常用来形成栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。 在氧化过程中，SiO2 膜的厚度与时间成正比。SiO2 膜形成的速度取决于经扩散穿过 SiO2 膜到达硅表面的 O2 及 OH 基等氧化剂的数量的多少。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为 SiO2 膜厚的 0.44 倍。 3. 化学气相沉积（CVD） CVD 是一种常用的薄膜沉积技术。它可以沉积出各种材料，如 Si3N4、SiO2 等。CVD 法有常压 CVD、低压 CVD 和热 CVD 等。 常压 CVD 是最简单的 CVD 法，使用于各种领域中。其一般装置是由输送反应气体至反应炉的载气体精密装置、使反应气体原料气化的反应气体气化室、反应炉、反应后的气体回收装置等所构成。 低压 CVD 是以常压 CVD 为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要特征是反应室内压力减少至 10-1000Pa，反应气体的消耗亦可减少。 热 CVD 是一种高温气相沉积法，生产性高，梯状敷层性佳。膜生成原理是由挥发性金属卤化物（MX）及金属有机化合物（MR）等在高温中气相化学反应（热分解、氢还原、氧化、替换反应等）在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。 热 CVD 法也可分成常压和低压。低压 CVD 适用于同时进行多片基片的处理，压力一般控制在 0.25-2.0Torr 之间。 芯片制造工艺流程是一个复杂的过程，涉及到多个步骤，每个步骤都需要严格控制，以确保芯片的质量和可靠性。