NANDFlash中文手册

NAND Flash是一种非易失性闪存存储技术，由日本东芝公司于1989年首先推出。它的主要特点是高密度、低功耗、低成本，并且具有可升级的特性，特别适用于需要大量数据存储的多媒体产品。NAND Flash与NOR Flash都是目前Flash存储市场的主导产品，但它们在物理结构和应用领域上有所不同。 NAND Flash与NOR Flash在物理结构上有明显的区别。NAND Flash采用了更小的晶体管，一条NAND bitline是连续的晶体管排列，每个晶体管能流过的电流较小。这种结构使得NAND Flash每*单元的大小几乎是NOR Flash的一半，因此在给定的芯片面积内能提供更高的存储密度和更大的存储容量。NAND Flash的生产制程也更为简单，且在大容量存储应用中成本更为节省，如MP3播放器、数码相机等。 NAND Flash根据单元中的晶体管数量和存储方式不同，可分为单极单元(SLC)和多极单元。单极单元(SLC)工艺中，每个存储器单元通过高电压“H”或低电压“L”来保存1bit的信息。而多极单元工艺中，一个单元可以存储多个比特位，例如MLC (Multi-Level Cell)存储两个比特，而TLC (Triple-Level Cell)则存储三个比特。 在NAND Flash的存储器结构中，通常包含有备用单元结构，这能够用于替代损坏的存储单元。当存储器发现坏块时，NAND Flash采用两种主要的坏块管理策略：跳过坏块(Skip Block)方法和保留块区域(Reserved Block Area)方法。跳过坏块方式指的是在读写数据时自动跳过那些已经损坏的块，而保留块区域方法则是预先保留一部分块用于替换坏块。 为了提高数据存储的可靠性，NAND Flash还配备了错误检测和纠正(Error Checking and Correction, ECC)机制。ECC能够检测和纠正一定数量的比特错误，从而提高数据的完整性。 在文件系统方面，NAND Flash通常需要特定的文件系统来管理，以适应其特殊的存储结构。例如，YAFFS和JFFS2是为NAND Flash而设计的文件系统。 烧录NAND Flash通常需要使用特定的编程器。ELNEC编程器是一种广泛使用的编程器品牌，它支持多种Flash芯片的烧录，包括NAND Flash。烧录过程中通常会涉及到Invalid Block Management（无效块管理）、User Area Settings（用户区域设置）、Spare Area Usage（备用区域使用）等高级功能。ELNEC编程器的快速编程选项、保留块区域选项、备用区域选项等，都是为了优化烧录效率和存储器寿命而设计的功能。 NAND Flash技术手册提供了关于NAND Flash技术的基础知识，介绍了它与NOR Flash的区别，深入解释了NAND Flash存储器的内部结构，以及在实际应用中如何管理坏块、如何进行错误检测与纠正、如何选择和配置文件系统等。此外，还涵盖了使用ELNEC编程器进行NAND Flash烧录的详细指南，这些内容对于初学者来说，具有较高的实用性和指导价值。