SST25VF032B数据手册

### SST25VF032B 数据手册关键知识点解析 #### 一、产品特性 - **单电压读写操作**：支持2.7V至3.6V的单电压读写操作，简化了电源设计。 - **串行接口架构**：兼容SPI（Serial Peripheral Interface）模式0和模式3，便于与其他设备集成。 - **高速时钟频率**：最大支持50MHz时钟频率，提供更快的数据传输速度。 - **卓越可靠性**： - 耐久性：典型情况下可承受10万次擦写周期。 - 数据保留时间：超过100年，确保数据长期存储的安全性。 - **低功耗**： - 活动读取电流：10mA（典型值），降低能耗。 - 待机电流：5μA（典型值），在不活动状态下消耗更少电力。 - **灵活的擦除能力**： - 支持4KB、32KB、64KB的均匀扇区擦除，可根据实际需求选择不同大小的擦除单元。 - **快速擦写时间**： - 芯片擦除时间：35ms（典型值）。 - 扇区/块擦除时间：18ms（典型值）。 - 字节编程时间：7μs（典型值），显著减少整体编程时间。 - **自动地址递增(AAI)字编程**：通过自动递增地址来减少字节编程操作的总芯片编程时间。 - **写入结束检测**： - 通过软件轮询状态寄存器中的BUSY位来检测。 - 通过SOP引脚读取忙状态。 - **保持引脚(HOLD#)**：可以在不取消选中设备的情况下暂停对内存的串行序列。 - **写保护(WP#)**： - 启用/禁用状态寄存器的锁定功能。 - **软件写保护**：通过状态寄存器中的块保护位实现写保护。 - **温度范围**： - 商业级：0°C至+70°C。 - 工业级：-40°C至+85°C。 - **封装选项**： - 8引脚SOIC（200密耳）。 - 16引脚SOIC（300密耳）。 - **无铅符合RoHS标准**：所有无铅（非铅基）设备均符合RoHS（限制有害物质指令）要求。 #### 二、产品描述 - **四线SPI兼容接口**：采用SPI兼容的四线接口，减少引脚数量，节省板上空间，从而降低系统成本。 - **SST专有SuperFlash技术**：基于SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造，采用分裂栅单元设计和厚氧化层隧道注入器，相比其他方法具有更好的可靠性和制造性能。 - **性能与可靠性提升**：SST25VF032B设备显著提升了性能和可靠性，同时降低了功耗。 - **单电源供电**：写入操作（包括编程或擦除）仅需2.7V至3.6V的单一电源供电。 SST25VF032B是一款高度集成且具备出色性能的串行闪存器件，其强大的功能特性使其适用于各种需要高可靠性和低功耗的应用场景，如消费电子、工业控制、通信设备等领域。通过采用先进的制造技术和优化的设计方案，该器件不仅能够满足高速数据传输的需求，还能确保数据在长时间内保持完整无损，是现代电子产品中不可或缺的关键组件之一。