论文研究 - 芳香族三唑，甲亚胺和Tris衍生的可溶液加工材料：聚合物发光二极管的制备和空穴缓冲应用

这项工作介绍了一种新型的空穴缓冲材料TAZS的合成及其在聚合物发光二极管中的成功应用，以增强器件性能。 TAZS由芳族1,2,4-三唑基核与三个三羟基叔丁基末端通过偶氮甲胺键连接而成。 TAZS形成通过旋涂工艺沉积的不均匀薄膜。 根据循环伏安图估计，TAZS的HOMO和LUMO水平分别为-5.23 eV和-2.40 eV。 仅空穴和仅电子器件的电流密度结果证实了TAZS层具有强大的空穴缓冲能力。 通过旋涂工艺沉积空穴注入PEDOT：PSS，TAZS和TAZS（ITO / PEDOT：PSS / TAZS（x nm）/ SY / ETL / LiF / Al）厚度的多层PLED已成功制造。发光SY层。 具有16 nm TAZS的PLED展现了最佳的器件性能，最大亮度和最大电流效率分别为19,046 cd / m2和4.08 cd / A，超过了没有TAZS的HBL（8484 cd / m2，2.13 cd / A）。 TAZS的空穴缓冲特性极大地改善了电荷的复合率并提高了发射效率。